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[1]Mu Zongxin, liguoqing, Qin Fuwen, 黄开玉, 车德良.非平衡磁控溅射系统离子束流磁镜效应模型[J],物理学报,2022,54(3):1378-1384
[2]Jiming Bian, 张志坤, Qin Fuwen, 章俞之, liuweifeng, Luo Yingmin, duguotong.高热导石墨衬底上的ZnO基MOS器件生长及表征[A],中国物理学会;中国稀土学会,2022,212-212
[3]cuihongtao, John Wu, Qin Fuwen, Yi Tan, 闻立时, 姜辛.升级冶金级Si衬底上ECR-PECVD沉积多晶Si薄膜[J],半导体技术,2022,2:117-120
[4]辛萍, 孙成伟, Qin Fuwen, 文胜平, Zhang Qingyu.反应磁控溅射ZnO/MgO多量子阱的光致荧光光谱分析[J],物理学报,2022,2:1082-1087
[5]Qin Fuwen.在镀铝玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜的结晶特性[A],2008中国材料研讨会，广州，2008年11月20日－24日：E3-24，104,2022,104-104
[6]刘胜芳, Qin Fuwen, John Wu, 姜辛, xuyin, gubiao.在镀铝玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜的结晶特性[J],半导体光电,2022,4:557-562
[7]刘国涛, xuyin, gubiao, Qin Fuwen, 周智猛.在GaAs衬底表面生长GaN过程中的氮化新方法[J],半导体光电,2022,24(1):45-47
[8]宋世巍, Qin Fuwen, John Wu, 何欢, 王叶安, 姜辛, xuyin, gubiao.基于ECR-PEMOCVD生长的稀磁半导体(Ga,Mn)N的特性[J],功能材料,2022,9:1473-1476
[9]郎佳红, Qin Fuwen, gubiao.基于RHEED图像外延GaN基薄膜表面晶格演变分析[J],安徽工业大学学报自然科学版,2022,24(1):67-71
[10]郎佳红, Qin Fuwen, gubiao.基于双热电偶校准ECR-PEMOCVD薄膜生长温度分析研究[J],红外技术,2022,29(2):79-82

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